AI封装再升级 三星秀150mm超大玻璃基板、最高堆叠30层

三星电子(005930KS) 抢攻 AI 先进封装，于 KPCA Show 2026 展出面向 AI 晶片封装的玻璃芯封装基板（Glass-Core Package Substrate），基板尺寸可达约 150mm × 150mm，最高支援约 30 层堆叠，并揭露完整 TGV 製程技术，展现玻璃基板朝工程验证与量产推进的布局。

三星此次现场展示从玻璃芯裸板到玻璃基板成品的完整样品。玻璃芯裸板已完成 TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）加工，可看到均匀分布的微孔阵列；完成品则进一步经过线路层压合、金属化及 RDL（Re-distribution Layer，再布线层）等製程，已具备多晶片及被动元件贴装所需的开窗与焊盘。

三星锁定 AI 加速器与伺服器等级晶片对大尺寸、高密度 I/O 的需求。相较传统有机基板，玻璃材料具备更高的平整度，可进一步缩小线宽／线距（L/S）、TGV 间距及通孔直径，提升讯号线布线密度。

三星此次公布的核心规格显示，玻璃芯厚度介于 400 至 1000 微米，TGV 通孔直径约为 50 至 150 微米，并採用全铜填充（Cu Full Fill）方式进行金属化。

在层数方面，三星比较 10 层有机基板与 6 层玻璃基板后指出，在维持相同或更佳传输特性的情况下，玻璃基板可将层数减少 40%。

除了布线能力，玻璃基板在翘曲、功耗与散热表现也有所改善。三星资料显示，玻璃基板在常温下的翘曲度改善约 69%，高温条件下改善幅度最高达 95 个百分点；耗电量降低 42%，电源效率提升 58 个百分点，散热速度则提升至约 2.7 倍。

三星也揭露玻璃芯基板的四大关键製程。首先透过雷射改质搭配化学湿式蚀刻，在玻璃内形成高长径比、孔壁平滑的微细 TGV；接着利用金属种子层沉积与全铜填孔，在通孔内形成低电阻且具机械可靠性的铜柱。

完成全铜填孔后，再导入化学机械研磨（CMP），移除表面多余铜层，提高玻璃表面与铜通孔端面的平整度，为后续亚微米级 RDL 线路图形化奠定基础。

三星也採用雷射与蚀刻技术进行贯穿及盲腔加工，可在玻璃芯内製作嵌入式腔体，供电容、电感等被动元件嵌入，以缩短供电路径。

从此次展示来看，三星已建立从雷射改质蚀刻、全铜填孔、CMP 到 Cavity 腔体加工的完整 TGV 製程框架，并展示最高约 30 层的布线承载能力。

三星在 KPCA Show 2026 不仅展示玻璃芯裸板及完成品，也进一步公开大尺寸玻璃基板核心规格与完整 TGV 工业化製程路径。

从 150mm × 150mm 基板、最高约 30 层堆叠，到微细 TGV 与全铜填充製程，显示三星玻璃芯基板布局已进入工程验证与量产攻坚阶段，持续朝 AI 晶片先进封装应用推进。