SiC抢攻AI能源商机 汉磊提供客户高良率、高品质出货技术

随着高压快充与AI资料中心对供电效率的要求提高，碳化硅(SiC)平台应用正从传统电动车与工控系统，扩大至AI伺服器电源与800V直流供电设备，磊晶厂汉磊(3707-TW)发表最新一代Gen5 SiC DMOS 技术平台，透过工程与结构微缩技术，实现比导通电阻与功率密度的显着跃进，该平台为汉磊客户提供高良率、高品质且具成本竞争力方案。

法人指出，为因应全球AI、高效能运算(HPC)、电动车与次世代绿能基础设施的爆发性成长，汉磊新一代Gen5 SiC DMOS 技术将单元 pitch微缩至 3.3 μm，单位面积导通电阻降，使导通损耗较前代降低 12%，整体元件效能提升约15%，此项突破不仅能在相同晶片面积下显着降低发热量，更能有效缩小晶片尺寸，也协助客户简化散热模组设计并降低系统物料成本。

汉磊表示，平台延续平面型架构的优势，维持极佳的闸极氧化层可靠度与的短路耐受时，目前1200V产品的晶圆测试率已稳定突破90%以上，兼顾极致效能、长期可靠度与高量产成本优势。

在产品应用布局上，汉磊指出，从车用核心延伸至AI 绿能基建的多元落地能力，Gen5平台已依循车规 AEC-Q101与模组规範 AQG 324 陆续推进客户端验证，锁定三大高阶应用：一、新能源车载系统：涵盖电动车主驱逆变器、车载充电器(OBC)及高压 DC-DC 转换器。

二、次世代 AI 资料中心：对应800V HVDC 高压直流供电架构之 AI 伺服器电源，助益以更低电损换取更高算力。

三、智慧电网与绿能储能：包含储能系统、太阳能逆变器(PV Inverter)、固态变压器及高压超充桩，未来更规划延伸至3.3kV以上超高压领域。

汉磊总经理刘灿文表示，化合物半导体的竞争已跨入效能、可靠度、良率与产能交付的综合较量，Gen5新技术平台的发表，验证了汉磊在元件结构微缩上的能力，未来公司将持续深化在地纯晶圆代工布局与产能扩充。