三星高层：明年HBM将佔DRAM全球产能近30% 传统DRAM供应承压

AI需求推动存储厂商加码HBM，传统DRAM供应承压。三星高层预计明年HBM将佔全球DRAM晶圆总产能近三成，市场研究机构同时上调2027年HBM价格预期。

三星电子执行副总裁Kim Taewoo 29日（周二）表示，预计明年HBM将佔DRAM厂商晶圆总产能近30%，目前约20%。

Kim Taewoo称，HBM与传统DRAM争夺同一批晶圆产能，扩大HBM产出可能挤压传统DRAM供应。

三星已在加快HBM布局。三星已于今年2月开始量产出货HBM4，5月向辉达(NVDA-US) 等客户提供12层HBM4E样品。

半导体市场研究机构TrendForce 29日表示，AI伺服器需求持续，HBM与通用DRAM仍会分享有限先进製程产能，2027年记忆体供应维持偏紧。

TrendForce上修2027年HBM价格预期，预计混合平均售价将上涨121%，主要考虑供应持续受限、高价HBM4比重提升，以及HBM4E在2027年下半年逐步放量。

TrendForce指出，受HBM供应有限和系统成本快速上升影响，GPU和ASIC厂商正考虑降低单颗晶片的HBM搭载容量，单个堆栈成本更低的8层HBM预计将成为2027年多家厂商优先评估方案。

由于每个HBM堆栈都需要一颗基础裸片，其成本不会随DRAM层数减少而等比下降，TrendForce预计2027年8层HBM每Gb的售价将比12层产品高约10%至20%。