市场需求超乎预期，旺宏重启资本支出计画已备妥 220 亿元扩充产能

受惠于人工智慧（AI）带动的强劲需求，以及主要竞争对手退出特定记忆体市场引发的转单效应，国内记忆体大厂旺宏在法人说明会上释出多项重大利多。总经理卢志远宣布，鉴于市场需求超乎预期，决定重启资本支出计画，预计2026年将投入约新台币220亿元全力扩充产能。同时，受惠于NAND Flash与eMMC价格强劲反弹，公司产能稼动率已达满载，对未来获利能力展现高度信心。

旺宏在资本支出策略上出现重大转折，卢指远还指出，原本针对2026年的资本支出规划并不大，但近期市场需求急遽升温，迫使公司必须大幅调整策略。回顾过往，该公司在COVID-19疫情期间曾计画投入近400亿元扩产，但随后因景气反转急踩煞车，实际仅执行约180亿元。这笔先期投资主要用于购置高阶3D NAND机台及厂房设施的兴建。卢志远强调，正因为当时已完成了纯水、电力系统等耗时1年至1.5年的厂房基础建设，使得公司目前具备极佳的战略优势。

现在如果要盖厂，光是基础设施就缓不济急，加上台积电正在大量抢人与承包商，现在才动工会非常困难。卢指远指出，由于厂房设施早已完备，公司只需将机台移入即可快速拉升产能。因此，公司决定将剩余的220亿元资本预算在2026年全数释出，全力扩张以满足客户需求，预期年内即可看到显着效益。

至于，在产品市场方面，最显着的成长动能来自于NAND Flash与eMMC。卢志远透露，eMMC过去在公司营收佔比极小，但到了2025年第四季出现结构性改变。主因是主要NAND供应商宣布部分产品停产（End of Life）并退出市场，导致eMMC价格大幅成长，连带使得该公司的利润与毛利率显着改善。

目前市场上MLC（多层单元）NAND Flash缺货情形非常严重。随着竞争对手撤出，旺宏成为少数仍具备MLC技术，且能稳定供货的厂商，尤其在中高密度（Medium Density）领域，该公司几乎成为市场上唯一的供应来源（Last man standing），这为公司带来了极佳的商机。受此影响，1月份eMMC报价传出上涨50%以上。公司虽未正面证实具体涨幅，但强调这是由市场供需决定的结果，且目前高毛利的趋势将会持续。

面对强劲的订单，该公司目前的产能利用率（稼动率）已达满载。卢志远明确表示，旺宏我们是全产能生产，稼动率几乎是100%，人手用多少就用多少。因此，在产能配置上，8吋厂正全面拉升，12吋厂也维持高档运作。具体而言，2026年Flash产品的产出量（以晶圆片数计算）预计将比2025年成长一倍。目前公司库存结构中，最大宗仍是NAND，但SLC NAND与eMMC库存水位并不高，大部分销售皆为新製造的产品。针对新产品进度，旺宏的16GB产品已开始量产，32GB产品预计在第一季少量释出，并于第二季末达到全产能生产。随着220亿元资本支出的设备到位，这两项主力产品的产能将进一步扩大。

检视旺宏2025年第四季营运表现，各产品线呈现不同样貌。ROM（唯读记忆体）业务在经历第四季的低点后，已确认触底，营收维持在约110亿元的水準。NOR Flash方面，55奈米製程产品成长动能不错，营收达134亿元，接近週期高点，且季末需求显着回升。

而从应用类别来看，成长动能最强劲的来自电脑（Computer）与通讯（Communication）领域。与上一季相比，电脑类成长15%，通讯类大幅成长55%；若与去年同期相比，电脑类更是大幅成长32%。相对而言，汽车（Automotive）业务表现持平，维持在COVID-19后的高档水位，虽无爆发性成长但相当稳健。

对于这波记忆体行情的延续性，卢志远也提出了独到的产业观察。表示这波涨价与缺货的主因是产能不足。由于AI伺服器与相关应用需求爆发，主要记忆体大厂纷纷将产能转移至高单价的AI相关记忆体（如HBM），导致传统记忆体产能被排挤，留下了巨大的供给缺口。而这个问题要真正解决，必须盖新厂。但现在盖一座厂至少要两到三年。卢志远分析到，除非AI泡沫破裂导致需求消失，否则在各大厂产能移转且新产能尚未开出的情况下，这种结构性的供需失衡将会持续下去。

儘管整体展望乐观，公司仍面临部分挑战与策略调整：
1. 3D NAND进度延迟：公司坦言3D NAND的研发进度将延迟约两年。
2.企业级SSD暂缓：受限于产能不足，2027 年企业级SSD（Enterprise SSD）业务预计不会成长，公司目前没有多余产能支应此领域。
3.游戏机市场压力：针对Sony与微软等游戏机客户，管理层坦言目前记忆体成本过高，已对系统厂造成重大冲击，这确实是产业共同面临的难题。

至于，针对外界传闻公司有意出售8吋厂，管理层在会中严正否认，表示没有听说这个传闻，并重申8吋厂与12吋厂皆是公司重要的生产基地。