AI推升HBM需求 德银估美光仍有34%上行空间

记忆体晶片大厂美光近期股价因市场担忧竞争升温而走弱，不过德银 (Deutsche Bank) 仍看好 AI 带动的记忆体荣景将推升公司获利能力，并将目标价上调至 500 美元，代表相较週二收盘价仍有约 33% 上行空间。

美光週二 (10 日) 收黑 2.67% 至每股 373.25 美元，今年以来涨幅高达 18%。

德银分析师 Melissa Weathers 在最新报告中指出，受人工智慧浪潮推动，高频宽记忆体 (HBM) 需求持续爆发，预期动态随机存取记忆体 (DRAM) 供给紧张将一路延续至 2027 年，甚至可能拉长到 2028 年。

她强调，HBM 需求的快速成长正在改变记忆体产业供需结构，使本轮循环与以往不同。

HBM 透过堆叠 DRAM 製成，是辉达 (NVDA-US) 等先进 AI 晶片不可或缺的核心元件。美光目前是全球主要 HBM 供应商之一，与南韩 SK 海力士 (000660-KR) 及三星电子 (005930-KR) 并列。

Weathers 指出，相较于传统 DRAM，HBM 约需要三倍以上的晶圆资源，意味製造所需硅含量大幅提高，正引发供应冲击，而市场对此仍未充分理解，供给吃紧已让美光等记忆体业者拥有更强的定价能力，并可与客户签订长期合约，推动产业进入结构性更高获利的环境。

她同时表示，新 DRAM 晶圆厂至少需要两年才能投产，而现有产线也受到扩产限制，短期内供应端难以迅速回应需求增长。不过，随着新产能逐步加入，供应限制可能在明年略为缓解。

市场近期对美光的压力，部分来自竞争对手的进度消息。有报导指出，三星计画在本月稍晚开始量产下一代 HBM4，并供辉达即将推出的 Vera Rubin GPU 使用，引发投资人担心美光在 HBM 领域面临更激烈竞争，美光股价也因此连续两个交易日下跌。

德意志银行仍维持对长期需求的乐观看法。Weathers 预估，DRAM 位元需求到 2030 年前将以超过 15% 的年複合成长率成长，其中 HBM 位元需求成长更快，年複合成长率可望超过 30%。她指出，AI 加速器公司对 HBM 的需求呈现爆发式扩张，主要因新一代 AI 模型规模更大、上下文视窗更长，需要一次处理更多资料，进一步推升高效能记忆体需求。

不过，Weathers 也提醒，若 DRAM 价格持续上涨，可能推高终端产品的整体物料成本，未来仍存在需求破坏风险，即价格上升到一定程度后，可能导致终端客户缩减採购。

美光预计将于週三美东时间上午 8 点 50 分出席 Wolfe Research 研讨会并发表演说，市场也将关注公司对 HBM 供需与价格走势的最新看法。