HBM4 下世代 AI 记忆体大战，随三星与美光宣布出货后正式展开

2026 年 2 月 12 日，记忆体大厂三星电子与美光科技不约而同地宣布，已开始出货下一代高频宽记忆体-HBM4。这款具备更高密度与更快速度的记忆体晶片，被视为驱动下一代 AI 加速硬体的核心动力。而两家记忆体大厂的宣示，也正式宣告HBM4 AI记忆体的战争正式开打。

三星电子于12日正式宣布 HBM4 进入量产阶段，并已向一家未具名的客户发货。市场普遍推测，该客户极有可能是 AI 晶片霸主辉达（Nvidia），因辉达已确认其即将推出的Vera Rubin平台将採用此款记忆体。

在技术规格方面，三星揭露了详尽的数据。这家韩国记忆体大厂表示，其 HBM4 记忆体能提供每秒 11.7 Gbps的稳定处理速度，在特定条件下甚至可提升至 13 Gbps。单一堆叠的总记忆体频宽更可达到惊人的每秒 3.3 TB（terabytes-per-second）。

除了速度，容量与能效也是此次升级的重点。目前三星提供的 HBM4 容量介于 24GB 至 36GB 之间，并计画进一步扩充至 48GB。鉴于资料中心散热问题日益严峻，三星强调新产品在热管理上的突破。与前一代 HBM3E 相较，HBM4 的热阻增强了 10%，散热能力提升了 30%。更重要的是，新晶片的能源效率提高了 40%，这意味着运行时温度更低、耗电更少，有助于减缓资料中心能源消耗的成长速度。

在财务与未来展望方面，儘管三星未透露具体定价，但预测 2026 年 HBM 系列产品的营收将比 2025 年成长三倍以上。此外，三星更预告将在 2026 年下半年出货更先进的 HBM4E 样品。

不过，就在三星宣布消息的前一天，其竞争对手美光科技也释出了关键消息。美光财务长 Mark Murphy 在 Wolfe Research 主办的一场活动中，针对近期关于美光 HBM4 地位的不实报导做出了强势回应。他透露，美光不仅已开始 HBM4 的大量生产，且已向客户出货。

Murphy 强调，美光的 HBM 良率在轨道上，HBM4 的良率也在轨道上。他指出，美光的 HBM4 产品同样能提供超过 11 Gbps 的速度，公司对产品的性能、品质与可靠性充满信心。值得注意的是，美光的交付时间比原先预测提早了一季的时间。Murphy 更进一步透露，美光 2026 年所有可生产的 HBM4 晶片皆已预售完毕。受到此消息激励，投资人反应热烈，美光股价随即飙涨近 10%，显示市场对其抢先量产 HBM4 的高度肯定。

随着三星与美光相继亮牌，全球三大记忆体製造商中，仅剩 SK 海力士（SK Hynix）尚未正式宣布 HBM4 的投产消息，这使得这场记忆体竞赛的态势更加诡谲。

这场竞赛的终极目标是供应辉达即将推出的旗舰产品，也就是辉达计画于 2026 年第二季发布其Vera RubinAI晶片，并已计画採用三星与 SK 海力士的记忆体。因此，三星此次的量产公告，对于期待辉达最新硬体的用户，以及希望辉达延续高成长的投资人来说至关重要。

然而，这场高阶记忆体的军备竞赛对一般消费者而言可能并非全然是好消息。市场消息指出，为了满足 AI 应用对高利润产品（如 HBM4）的需求，三星与其他製造商已将产能转移。这将导致标準记忆体产品的产能受到挤压，进而引发价格飙涨。对于一般电脑使用者与非 AI 领域的企业来说，未来恐将面临记忆体价格上涨的痛苦。

整体来说，在记忆体产业正式跨入 HBM4 时代之后，三星以详细的技术数据与能效优势展现肌肉，美光则以提早交付与完售的订单证明实力。随着辉达 Vera Rubin 平台发布在即，这场围绕着 AI 运算核心的供应链大战才正要进入白热化阶段。