AI过去一年助涨记忆体近700%！SK海力士：记忆体上行周期持续时间料将比预期更久

摩根大通 (下称小摩) 周日 (8 日) 发布研报指出，SK 海力士在小摩韩国大会上释放了强烈信号，指当前记忆体产业正迎来比预期更长的上行周期，小摩亦维持对 SK 海力士的增持评等，目标价每股 125 万韩元，较上周五 (6 日) 收盘价隐含约 35% 的上行空间。

SK 海力士管理层在会上系统阐述了推动上行周期延长的多重因素。首先，客製化记忆体解决方案正重塑市场格局，尤其是 HBM 的崛起，因其生产过程中存在晶圆到晶片损耗现象，消耗了更大比例的产能，加剧了供给紧张。

其次，AI 应用场景的扩展正将需求从高端 HBM 延伸至传统 DRAM 和 NAND 快闪记忆体，进一步推升整体需求。

SK 海力士管理层明确表示，目前 DRAM 和 NAND 两端均面临严峻的供需缺口，供应商及通路客户库存均低于平均水位，出货量与产量增长基本持平，预期价格上涨趋势在可预见的未来将持续。

投资者对长期供货协议 (LTA) 及周期持续性表现出高度关注。管理层将当前行业阶段定性为商业模式转型期，并将维持上行周期视为首要战略任务。

在 LTA 框架方面，SK 海力士在会上强调更具约束力的双边多年期协议 (通常超过三年) 对于锁定供货量、价格区间及提升收入和现金流可见性至关重要。

小摩分析指出，SK 海力士正採取更为均衡的 LTA 策略，在 B2B 与 B2C 客户结构之间寻求平衡，同时保持相对保守的定价策略。

在 HBM 业务方面，SK 海力士展现出强劲的领导地位，该公司也重申 HBM4 的量产爬坡时间表保持不变，小摩预计 SK 海力士比特出货量将在今年第三季实现交叉。

SK 海力士对维持 HBM 业务领导地位充满信心，主要靠的是与生态系统合作伙伴的深度协作，以及清晰的技术路线图。

儘管 D5/LPD5 价格自去年末季以来大幅反弹，SK 海力士仍称今年合约量几乎不存在重新议价的可能性，目标是维持与去年相近的获利水平。

资本开支与产能规划方面，SK 海力士披露总额约 22 兆韩元的基础设施投资计画，核心是工厂优先策略。该公司位于龙仁的 1 号厂第一阶段量产时间表已提前三个月，公司正专注于基础设施建设和洁净室设施，以确保产能扩张的灵活性。

SK 海力士龙仁厂的第 2 至第 6 阶段则将在 2028 年至 2030 年间逐步投产。该公司管理层透露的龙仁厂设计产能，高于小摩此前预估的每月 27 万至 35 万片晶圆，实际规模恐因存储楼设计及 1dnm 製程部署时间表而有所调整。

此外，SK 海力士也展现出更为积极的股东回报立场。在确立首要实现净现金部位的目标后，该公司 1 月宣布一兆韩元的特别股息及库存股注销计画，释放了对本轮周期强度和长度充满信心的积极信号。

SK 海力士管理层表示，相比以往周期，该公司现时的现金流可见度更清晰。

综合来看，SK 海力士上述说法传递出一个明确讯息：在 AI 驱动的结构性需求增长、严峻的供需缺口以及更稳健的商业模式转型共同作用下，记忆体行业的本轮上行周期不仅强劲，持续时间也可能远超市场当前预期。