美光还没涨完？花旗喊目标价1200美元 DRAM超级周期才刚开始

花旗银行分析师 Atif Malik 6 月 17 日发布最新研报，将美光科技 (Micron Technology)(MU-US) 目标价从 840 美元大幅上调至 1,200 美元，维持买入评级。1,200 美元的新目标价对应公司 2027 年预期每股收益 10 倍估值，测算潜在总回报约 17.6%。

此次上调的背景是：美光股价年初至今已上涨约 258%，12 个月累计涨幅达 748%。花旗上调目标价的同时，德意志银行也在同日将目标价从 1,000 美元上调至 1,500 美元。美光将于 6 月 24 日发布 2026 财年第三季财报。

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DRAM 价格预测

花旗预计 2026 年 DRAM 平均售价（ASP）全年上涨 200%，主要受加速的 Token 增长和供给受限驱动的资料中心需求支撑。

按季看，环比涨幅依次为：

2026 年第二季度：上涨 37% 2026 年第三季度：上涨 13% 2026 年第四季度：上涨 11%

数据验证方面，DRAM 现货价格自 1 月初以来已上涨 52%，自 4 月初以来上涨 22%，目前现货价格较合约价格高出 21%，预示合约价格应继续走高。

NAND 价格预测

花旗预计 2026 年 NAND 平均售价全年上涨 186%，分季度环比涨幅依次为 45%（Q2）、17%（Q3）、6%（Q4）。

花旗同时指出，DRAM 供应趋紧可能推动基于 NAND 的补充记忆体技术（如 KV 快取等）更广泛地採用，为 NAND 市场提供额外的需求支撑。

供需格局分析

花旗预计 2026 年全球 DRAM 将出现 5% 的供给缺口，本轮产业上行週期有望延续至 2027 年，HBM 产品明年价格将继续攀升。

花旗认为，今年记忆体涨价主要来自常规 DRAM 的供需失衡，而非 HBM——例如美光 2026 年 DRAM 位元产能增速预计仅为 42%。常规 DRAM 的供给刚性叠加 AI 资料中心需求的持续爆发，构成了涨价的核心驱动力。

获利预测与估值

花旗同步大幅上调获利预测：

指标

调整幅度

具体数值

F3Q26E 营收 / EPS

上调 6%

—

F4Q26E 营收 / EPS

上调 5%

—

FY26E EPS

上调 4%

—

FY27E EPS

上调 10%

114.73 美元

花旗对 2027 财年 EPS 的预测为 114.73 美元，较市场共识的 110.32 美元高出 4%，上调主因是对产品均价，尤其是 HBM 价格前景的乐观预期。

估值方面，花旗给予美光 2027 年预期 EPS 的 10 倍估值，并指出这一倍数低于最近三年 17 倍的峰值，以反映当前elevated gross margins（异常高的毛利率）和近期关于 DRAM 因供给受限而在 Vera Rubin 中降规格（de-specing）的报导。

花旗 6 月 17 日报告的上调逻辑可归纳为以下四个关键支点：

价格超预期是直接催化剂

花旗上调目标价的首要依据是年初以来记忆体晶片价格走势超市场预期。DRAM 现货价格年内已上涨 52%，4 月以来上涨 22%，现货较合约溢价 21%，这些数据为合约价继续上调提供了充分证据。

常规 DRAM 供需失衡是涨价主力

花旗特别指出，今年记忆体涨价主要来自常规 DRAM 而非 HBM。这一判断具有重要含义——市场可能将本轮涨价过多归因于 HBM 的 AI 需求，而忽视了常规 DRAM 领域同样严重的供需失衡。美光 2026 年 DRAM 位元产能增速仅 42%，远不能满足需求增长。

Vera Rubin 降规格信号强化涨价预期

花旗在报告中提及近期关于 DRAM 因供给受限而在 Vera Rubin 中降规格（de-specing）的报导。Vera Rubin 是辉达 (NVDA-US) 的下一代 AI 晶片平台，在该平台因 DRAM 供应不足而被迫降低记忆体规格，表明 DRAM 短缺已从预期变为现实约束，进一步强化了花旗对价格持续上涨的信心。

估值倍数上调反映盈利品质提升

花旗虽将目标价从 840 美元上调至 1200 美元，但估值倍数仅从约 8 倍微调至 10 倍，仍远低于 17 倍的三年峰值。这意味着目标价的上调主要来自 EPS 预测的上调（+10%），而非估值扩张，反映花旗认为美光的盈利增长是实的，而非靠市场情绪撑起来的。

花旗 6 月 17 日报告的核心结论是：DRAM 上行週期远未结束，且涨价主力正从 HBM 向常规 DRAM 扩散。2026 年 DRAM 均价上涨 200%、全球 5% 供给缺口、2027 年 HBM 价格继续攀升——这三重判断构成了花旗看多美光的核心骨架。

花旗将 2027 年 EPS 预测上调至 114.73 美元（较此前 + 10%），目标价上调至 1200 美元（对应 10 倍 PE），维持买入评级。

投资分析

若 DRAM／NAND 价格按花旗预测路径演绎，美光 2027 年 EPS 达 114.73 美元，以当前股价（约 1100 美元）计算，对应 2027 年 PE 约 9.6 倍——远低于 17 倍的週期峰值。考虑到上行週期中盈利通常存在进一步上修空间，当前估值在超级週期框架下仍具吸引力。

花旗测算的 1200 美元目标价对应的潜在总回报约 17.6%，且这一目标价建立在低于历史峰值的估值倍数之上，意味着若市场情绪进一步升温，上行空间可能更大。

第一，股价已充分反映乐观预期。美光年初至今上涨约 258%，12 个月涨幅达 748%。如此巨大的涨幅意味着大量乐观预期已被市场定价，任何不及预期的财报或指引都可能触发剧烈回调。

第二，Vera Rubin 降规格是一把双刃剑。DRAM 供应不足导致 AI 晶片降规格，固然证明供需紧张、支撑涨价逻辑，但也暗示过高的记忆体价格可能迫使下游客户调整设计方案，长期看可能抑制需求或加速替代技术（如 NAND-based 方案）的採用。

第三，週期高点的均值回归压力。花旗虽看好 2027 年，但未对 2028 年做出明确预测。历史经验表明，半导体週期的上行阶段结束后往往伴随剧烈的下行调整。当前常规 DRAM 涨价主要靠供给刚性而非需求爆发驱动，一旦主要厂商打破供给自律、大幅扩产，供需格局可能迅速逆转。

第四，行业共识高度一致的风险。TipRanks 数据显示，31 位华尔街分析师中 28 位给予买入评级、3 位持有、0 位卖出，12 个月共识目标价 1048.57 美元。高度一致的看多情绪通常意味着边际买盘力量在减弱。

关键观察点

2026 年 6 月 24 日： 美光 Q3 FY26 财报发布。花旗预计 Q3 营收达 35.1 亿美元（高于公司自身指引 33.5 亿），实际数据与管理层对 Q4 的指引将是验证花旗预测的关键。

DRAM 合约价走势： 当前现货较合约溢价 21%，后续合约价上调幅度将直接决定盈利兑现节奏。

主要厂商产能扩张动态： 若三星、SK 海力士等竞争对手打破供给自律、大幅扩产，将是週期拐点的关键信号。