5到10年拚十倍回报！英特尔陈立武：推进先进封装 布局三大材料领域
英特尔执行长陈立武近日接受科技播客专访时透露，该公司正制定未来五到十年的清晰技术路线图，目标是为股东创造十倍回报。
陈立武强调，英特尔不只晶片设计，整个组织都要全面拥抱 AI、减少对传统电子试算表的依赖。
谈及业务进展，他以爬─走─跑比喻现况，产品端将强化 CPU 与 GPU 架构团队，力拚跨越式领先，而晶圆代工业务虽与台积电仍有差距，但正专注打好良率与基础，预计 2030 至 2032 年实质潜力将显现。
面对製程微缩逼近物理极限、成本飙升的挑战，英特尔将突围方向锁定在先进封装与新材料。
陈立武指出，台积电有 CoWoS，英特尔则布局下一代 EMIB(嵌入式多晶片互连桥接) 方案，正确保量产良率达标，并已在印度及美国新墨西哥州启动先进封装製造合作。
材料方面，英特尔投资氮化镓 (GaN)、碳化硅(SiC0、磷化铟(InP) 等化合物半导体，同时布局玻璃基板 (投资 3DGS 公司) 及人工合成钻石散热晶圆(投资 Diamond Foundry)，现有约千项模组相关专利，积极攻克基板与模组整合难题。
陈立武说：当传统微缩遇到瓶颈，就必须回到材料科学找突破口。英特尔期望透过先进封装加上新材料的系统级创新，在 AI 时代重塑竞争优势。
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