记忆体「超级涨价潮」未完！DDR4、NAND价格7月双创新高

传统 DRAM 与 NAND 快闪记忆体价格 7 月双双创下新高。在人工智慧 (AI) 伺服器与高频宽记忆体 (HBM) 持续吸收 DRAM 产能，以及记忆体业者将 NAND 资源转向企业级固态硬碟 (SSD)、高层数 3D NAND 与先进製程之下，PC、消费性电子及工业设备使用的传统记忆体供应日益紧张，涨价週期尚未结束。

根据《韩联社》引述 TrendForce 旗下 DRAMeXchange 数据，PC 用指标 DDR4 8Gb DRAM 7 月平均固定合约价升至 24 美元，较 6 月上涨 14.3%，创该机构自 2016 年 6 月开始统计以来最高纪录。

NAND 快闪记忆体价格也持续攀升。其中，128Gb MLC NAND 7 月平均价格升至 30.05 美元，首度突破 30 美元并刷新历史纪录。

今年以来，DDR4 价格持续加速上涨。DDR4 8Gb 平均合约价由 1 月的 11.5 美元一路升至 7 月的 24 美元，累计涨幅约 109%，相当于半年多翻涨一倍。价格在 4 月至 5 月间由 16 美元迅速升至 20 美元，进入第三季后进一步刷新高点。

NAND 涨势更加猛烈，128Gb MLC NAND 平均价格由 1 月的 9.46 美元升至 7 月的 30.05 美元，年初以来累计上涨约 218%，目前价格已升至年初的逾 3 倍。

不同类型 NAND 产品的涨幅也出现明显分化。

单层式储存 (SLC) NAND 供应尤其吃紧，部分产品 7 月平均售价较前月大涨 35% 至 51%；多层式储存 (MLC) NAND 涨幅则约为 4% 至 8%。

SLC NAND 主要应用于汽车电子、网路设备及工业控制等重视稳定性与耐用度的领域。随着记忆体供应商优先将产能投入高层数 3D NAND 及先进製程，加上市场库存偏低，SLC NAND 供需情况更加紧张，价格涨幅明显高于 MLC 产品。

本轮传统记忆体涨价，主要源自供应端的产能重新配置。

随着 AI 伺服器需求快速成长，DRAM 供应商持续将资源转向 HBM 及伺服器 DRAM 等利润较高的产品，留给 PC 与消费性电子使用的传统 DRAM 产能随之减少。

TrendForce 预估，AI 伺服器与 HBM 未来仍将大量吸收 DRAM 产能，PC DRAM 供应可望进一步收紧。儘管笔电价格上涨已开始抑制终端需求，但在供给有限的情况下，记忆体供应商于价格谈判中仍掌握较大优势，DRAM 供应紧张可能延续至 2027 年。

NAND 市场也面临类似的产能排挤效应。供应商将更多资源投入企业级 SSD、高层数 3D NAND 与先进製程，导致传统 NAND 产品供应维持紧张。不过，TrendForce 预期，随着供应商逐步增加产出，NAND 供应可望于 2027 年下半年开始改善。

值得注意的是，记忆体价格持续上涨超过一年后，下游客户的採购成本已明显提高，买方态度也开始转趋谨慎。这意味供应紧张仍可支撑短期价格，但后续涨势能否延续，也将取决于终端市场承受成本上升的能力。