瑞银指出，两大因素美光标準型记忆体毛利率将上看 9 成超越 HBM
随着AI伺服器产能吞噬全球半导体产量，传统记忆体市场正迎来一波爆发性的利润增长。 外资瑞银（UBS）最新研究报告指出，由于供给严重短缺，美光（Micron）标準DRAM的毛利率已正式超越专为AI设计的特殊HBM记忆体。
根据瑞银的研究，美光标準DRAM的毛利率成长轨迹极为惊人。在2025年期间约 44%至50%，2026年2月飙升至 80%，2026年的5月到8月则是攀升至 89% 与 91%，2026年底更预期达到 92%。之后，2027预计达到 93%至95%的最高点，并在2028年多数时间维持于 93% 以上。
相较之下，高频宽记忆体（HBM）虽然被视为顶级溢价产品，但毛利率成长较温和。2025年约为56%至63%，2026年落在63%至70%，2027年则预计达到75%至78%。
报告指出，成长至2026年底的0.29 EB，2027年底更将达到0.43 EB。在全球总量预估为2.1 EB的HBM市场中，美光预计其市佔率将在2026年底达到22%至23%，2027年可能短暂下滑至18%，但年底预期回升至21%。与此同时，美光在标準记忆体市场的市佔率则预估将稳定维持在23%至24%。
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