HBM现货价狂飙 三星7成产能锁到2031年 长约价仅现货20%

据南韩经济日报（SEDaily）周一(8/31)报导，随着AI基础建设对高频宽记忆体（HBM）需求持续飙升，三星电子已将高达70%的记忆体产能透过长期供应协议（LTA）锁定，合约期限延伸至2031年。

这项策略正在深刻改变传统记忆体市场的週期性特徵，同时也导致现货市场价格与长期合约价格之间出现高达4至5倍的巨大价差。

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三星电子在7月30日的第二季财报电话会议上已明确披露这项规画。

三星表示，计画将总生产能力的60%至70%透过LTA进行分配，并已与全球前五大资料中心客户完成合约签署，目前正与另外5家主要客户进行最后阶段谈判。

据SEDaily报导，这些LTA的主要客户包括微软、辉达和Google。

三星记忆体业务负责人金在俊（Jaejune Kim）在财报电话会议上表示：几乎所有客户都在寻求LTA，我们在可用产能範围内难以满足所有供应要求。

他进一步透露，为维持充足的供应弹性，公司计画将总产能约60%至70%分配给LTA，合约期限以5年为基本单位，并採用滚动方式每年协商续约，同时加入预付款条款以强化合约约束力。

分析师指出，LTA正成为降低记忆体市场週期性波动的关键因素。长期协议能让供应商掌握未来需求，同时也让大型科技客户确保未来数年的关键零组件供应。

不过，长期合约价格与现货市场价格之间的差异极为显着。

据SEDaily披露数据，36GB容量的HBM3E模组在现货市场的单价约为287万韩元（约合2,100美元），而相同产品的LTA协议价格仅在50万至70万韩元区间，两者相差4至5倍。

DRAM价格仍在上涨

南韩贸易协会数据显示，7月份DRAM出口数量为5.9174亿个，年减13.2%；但出口额却达135.5亿美元，年增18.5%，出口单价从16.76美元飙升至22.9美元，涨幅达36.6%。

这量降价升现象源于多重因素。随着HBM4量产推进，新一代HBM需要堆叠更多DRAM层数（16层），且初期良率低于已成熟的HBM3E，导致生产过程中消耗的DRAM晶圆大幅增加。

这不仅推高HBM4初期生产成本，也进一步挤压通用型DRAM的供给。例如，正在逐步量产的HBM4 16层堆叠产品，在非长期合约渠道的价格已达480万韩元（约合3,500美元）。

随着HBM4进入大规模生产阶段，HBM平均出口单价已从第一季的40.94美元跃升至第二季的60.22美元，涨幅约47%。

南韩半导体产业协会专务安基贤也解释称，HBM每次升级换代，良率都会出现阶段性下降。HBM4价格已是前代产品的两倍左右，企业在增产过程中消耗的DRAM量也随之增加，最终导致整体出口量减少。

同时，三星等厂商将大量产能透过LTA锁定，进一步加剧现货DRAM市场的供应紧张。

三星高层在财报会议上预计，AI带动的记忆体供应短缺可能持续至2028年。新建晶圆厂从开工到真正投产通常需要3年以上时间，这意味着2028年以前难以出现大量新增供给。

南韩贸易协会首席研究员都元彬指出，半导体产品生产出来即被全部出口，短期内难以扩大产能，单价走高是不可避免的趋势。

面对持续紧绷的供应形势，南韩两大记忆体厂商正加速扩充产能。三星电子正考虑将平泽园区的S5代工生产线转换为记忆体生产设施；SK海力士则正在探讨与日本企业合作设立合资工厂的可能性。

SK集团会长崔泰源出席日本仙台举行的日韩商工会议所会长团会议时透露，（SK海力士）正在探讨在日本设立半导体合资工厂的方案。