为HBM4狂备料！SK海力士Q2硅晶圆採购暴增104% AI算力开启「抢粮」模式

AI算力狂潮正将记忆体巨头的军备竞赛从晶片产能烧向上游硅晶圆，南韩SK 海力士今年第二季硅晶圆採购金额季增104%，採购力度大幅超越三星电子，直指晶圆涨价预期与备料压力。

SK 海力士此举本质是提前锁定原料、平抑未来涨价波动。与三星同期保守策略形成策略分歧，SK 海力士以激进备料确保HBM及先进DRAM产能释放不受原料掣肘，巩固AI供应链交付确定性。

SK海力士今年首季营收年增298%至52.58兆韩元、营业利润 37.61 兆韩元、净利率超 70%，DRAM与NAND均价同创单季峰值，强劲现金流为囤粮提供充足弹药。

为支撑HBM4，SK海力士将1C DRAM扩产目标上调近两倍，明年Q1每月产能目标拉升至17–20万片；另砸40亿美元在美国印第安纳建下一代HBM 封装厂。

技术层面上，SK海力士1c製程16GB LPDDR6晶片已开发，375层NAND量产验证完成，首次以钼替代钨作字线金属闸极，年底前量产。

除备料积极外，SK海力士在设备端也向供应商妥协，打破五年降价惯例，默许一级设备商提价3%–4%；375层NAND钼製程设备最终选定东京电子炉式方案，弃用泛林集团单片设备，凸显对特定製程的高度依赖。

从硅晶圆翻倍採购到设备涨价放行，记忆体巨头对上游供应链的依赖正在系统性加深，而这也显示，在AI记忆体超级週期下，半导体资本支出红利正加速向上游硅晶圆与核心设备环节传导，材料与设备商的涨价能力与绩效弹性，将成为下一阶段产业链定价的关键锚点。