韩媒：三星电子与SK海力士2027年第二季量产8层HBM4供应辉达
外媒最新报导指出，三星电子、SK海力打算在2027年第2季实现八层堆叠(8Hi)HBM4记忆体堆叠的全面量产并向辉达出货。
《ZDNET Korea》 週一(26日)报导指出，南韩两大DRAM製造商三星电子、SK 海力士目前产出的HBM4记忆体主要为容量更大的 12层堆叠(Hi)版本，但也意味单一堆栈中包含更多DRAM Die，同等频宽成本更高、堆叠更少，且堆叠更高也意味着良率的下滑。
辉达在今年第3季就8Hi HBM 供应事宜同两大原厂进行了认真讨论，这项计画变更主要因为辉达考虑在Rubin Ultra和标準Rubin中应用8Hi HBM4(E)，以改善整体供应链。
辉达已将HGX Vera Rubin NVL8和HGX Rubin NVL8规格调整为系统合计2TB HBM4，对应着8Hi 32GB的HBM4堆叠。
目前，HBM4供应仍处于爬坡阶段，三星、SK海力士的良率与产能直接限制Vera Rubin平台的交付节奏。
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