DRAM微缩走到极限，三星、SK海力士、铠侠掀3D记忆体堆叠大战

人工智慧（AI）算力需求爆发正推动记忆体产业迎来结构性转变。随着 DRAM 与 NAND 微缩逼近物理极限，三星电子 (KR005930) 、SK 海力士 (000660KS) 与铠侠纷纷转向 3D 堆叠、混合键合等新技术，显示未来记忆体竞争将从製程微缩转向晶片堆叠与先进封装之战，掌握奈米级键合技术者，将成为 AI 记忆体新时代的关键赢家。

随着 AI 大模型对海量资料吞吐与储存容量的需求暴增，传统半导体记忆体晶片正面临数十年来最严峻的物理极限。平面 DRAM 传统的 6F2 单元架构微缩红利已接近枯竭，而单晶圆堆叠的 3D NAND 也面临薄膜应力与电流衰减等物理墙。

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在最新登场的国际半导体顶级盛会2026 VLSI Symposium上，全球记忆体巨头纷纷发表最新架构，宣告记忆体产业竞争已从传统的平面微雕全面转向立体攻坚。

在高速挥发性记忆体（DRAM）领域，韩系两大巨头展现了截然不同却同样关键的技术路线：

SK 海力士（SK Hynix）突破平面极限

 为解决传统 6F2 架构造成的电磁干扰与漏电问题，SK 海力士发表了最新垂直通道 4F2 单元 DRAM 技术。

该技术将电晶体通道改为垂直排列，直连电容与字线 / 位线交叉点。

透过双闸极（Dual-gate）结构与薄膜硅通道，成功抑制闸极诱导汲极洩漏（GIDL），提高资料保持时间；同时利用相邻晶体管共享背闸的设计降低串扰噪声，被视为 DRAM 迈向全 3D 架构前最具商业化潜力的过渡方案。

三星电子开启 3D DRAM 时代

 三星则首度展示名为VS-DRAM的 3D DRAM 架构，成功将 16 层储存单元进行垂直堆叠。

为解决驱动性能问题，三星导入环绕闸极（GAA）结构，并透过晶圆级Peri-on-Cell熔融键合技术，将周边控制电路晶圆与记忆体阵列晶圆接合，再以硅穿介质通孔（TSDV）建立电气连接，展现了高吞吐 I/O 的坚实技术储备。

NAND 层数大战：铠侠携手 Sandisk 瞄準 1000 层超高堆叠

在 NAND 快闪记忆体领域，单一晶圆堆叠层数达到 300 至 400 层后，正面临深孔刻蚀导致电流衰减与晶圆弯曲等严重反噬。

对此，铠侠（Kioxia）与 SanDisk(SNDKV-US) 联手发表多晶圆混合键合技术（MSA-CBA）。

该方案不再强求于单一晶圆上堆叠极限，而是透过多块晶圆进行多次铜 - 铜（Cu-Cu）混合键合。

首先将控制电路晶圆与第一层记忆体晶圆进行正面对正面接合，随后再透过背面重布线将第二、第三块记忆体晶圆以背面对正面持续向上堆叠，不仅顺利验证了 QLC 写入稳定度，更宣告打通迈向 1000 层以上超高层数 NAND 的技术道路。

产业观察：先进封装与混合键合跃升记忆体新霸主

业界分析指出，从 VLSI 2026 发表的技术可以看出，记忆体晶片的升级逻辑已从纯粹的材料化学与微影微缩，转变为物理微观结构与先进键合封装的深度协同。

不论是三星的 TSDV 介质通孔，或是铠侠的 Cu-Cu 混合键合，混合键合与晶圆级对準技术已不再只是后段封装的手艺，而是直接跃升为晶圆厂设计核心架构的先决条件。

无论是三星或铠侠，想要实现更高密度的多层晶片堆叠，关键已不只是製程节点，而是如何将不同晶圆以奈米等级精準对接，实现近乎无缝整合的混合键合。

未来记忆体竞争的核心，将从谁能把电路做得更小转向谁能把晶片堆得更高、更精準。因此，掌握高精度晶圆键合设备、晶圆薄化与化学机械研磨技术，以及先进封装能力的企业，正逐渐成为下一代半导体竞赛中不可忽视的关键力量。